- Модель продукта PJW4P06A-AU_R2_000A1
- Бренд PANJIT
- RoHS Yes
- Описание 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 10 nC @ 10 V
- 785 pF @ 30 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Инвентаризация: 6044
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Инвентаризация: 22338
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Инвентаризация: 5496
MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 30000
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 3256
IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN
Инвентаризация: 13815
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Инвентаризация: 25931
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Инвентаризация: 58546
