Инвентаризация:7544

Технические детали

  • Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 2.9A, 10V
  • Материал феррулы 1.8W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-SOT223-4
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 33 nC @ 10 V
  • 875 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Инвентаризация: 2003

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Инвентаризация: 7435

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4957

IC TRANSLATOR BIDIRECTIONAL SM8

Инвентаризация: 12602

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Инвентаризация: 5482

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Инвентаризация: 58546

Top