- Модель продукта G30N04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 19.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 30 nC @ 10 V
- 1780 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 5104
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 9197
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 270000
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Инвентаризация: 8870
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Инвентаризация: 30000
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Инвентаризация: 2885
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Инвентаризация: 42000
MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Инвентаризация: 2849
MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 10000
