- Модель продукта G3035L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4385
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 2.1A, 10V
- Материал феррулы 1.4W (Ta)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 12.5 nC @ 10 V
- 650 pF @ 15 V