- Модель продукта G6N02L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11.3mOhm @ 3A, 4.5V
- Материал феррулы 1.8W (Tc)
- Барьерный тип 900mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 12.5 nC @ 10 V
- 1140 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 5104
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 9197
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 270000
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Инвентаризация: 7402
MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 100000
