Инвентаризация:3215

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 225A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.6mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 115.5 nC @ 10 V
  • 8320 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

Инвентаризация: 4522

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2481

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 13547

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 2415

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

Инвентаризация: 8970

Top