- Модель продукта DMTH6002LPS-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15047
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 167W
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type K)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 130.8 nC @ 10 V
- 6555 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Инвентаризация: 12413
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Инвентаризация: 38158
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Инвентаризация: 5379
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Инвентаризация: 8970
