Инвентаризация:3981

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type K)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 130.8 nC @ 10 V
  • 6555 pF @ 30 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060

Инвентаризация: 16982

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 13547

MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI

Инвентаризация: 1715

MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK

Инвентаризация: 17492

Top