Инвентаризация:3915

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 225A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.5mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 167W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (SWP)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 130.6 nC @ 10 V
  • 8306 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


N

Инвентаризация: 2864

MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI

Инвентаризация: 1715

MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5086

Top