Инвентаризация:33699

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9.3mOhm @ 13A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 96 nC @ 10 V
  • 3845 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 19946

MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO

Инвентаризация: 19233

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Инвентаризация: 20124

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Инвентаризация: 28785

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 12774

MOSFET N/P-CH 60V 0.34A SOT363

Инвентаризация: 70668

Top