Инвентаризация:30285

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 13.5A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 34 nC @ 5 V
  • 2674 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Инвентаризация: 32199

Top