Инвентаризация:2940

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W (Ta), 36W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta), 32A (Tc)
  • Глубина 489pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 16.3mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 6.9nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 18391

MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN

Инвентаризация: 1290

MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN

Инвентаризация: 1380

Top