Инвентаризация:2880

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.2W (Ta), 23W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 19A (Tc)
  • Глубина 255pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 29.7mOhm @ 3A, 10V
  • Тип симистора 4.7nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 13µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN

Инвентаризация: 1440

Top