Инвентаризация:2790

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta), 27A (Tc)
  • Глубина 355pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 20.3mOhm @ 4A, 10V
  • Тип симистора 5.8nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 252

MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN

Инвентаризация: 1440

MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223

Инвентаризация: 3936

Top