- Модель продукта DMTH6010LPDQ-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:19891
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.8W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
- Глубина 2615pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 20A, 10V
- Тип симистора 40.2nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Инвентаризация: 17349
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Инвентаризация: 7440
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 31312
MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Инвентаризация: 1440
