Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 395W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 89A (Tc)
• Глубина 3020pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 31mOhm @ 40A, 20V
• Тип симистора 232nC @ 20V
• Барьерный тип 2.8V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение SP3F