Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 873W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 333A (Tc)
• Глубина 12000pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 80A, 20V
• Тип симистора 928nC @ 20V
• Барьерный тип 2.8V @ 12mA