Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 1.114kW (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1700V (1.7kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 238A (Tc)
• Глубина 13200pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 11.3mOhm @ 120A, 20V
• Тип симистора 712nC @ 20V
• Барьерный тип 3.2V @ 10mA