Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 602W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1700V (1.7kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 124A (Tc)
  • Глубина 6600pF @ 1000V
  • Сопротивление при 25°C 22.5mOhm @ 60A, 20V
  • Тип симистора 356nC @ 20V
  • Барьерный тип 3.2V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение SP3F

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 700V 124A SOT227

Инвентаризация: 6

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F

Инвентаризация: 3

SIC 4N-CH 1200V 55A SP3F

Инвентаризация: 6

SIC 2N-CH 1700V 240A

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1700V 179A

Инвентаризация: 13

SIC 6N-CH 1700V 179A

Инвентаризация: 10

SIC 4N-CH 700V 241A MODULE

Инвентаризация: 15

Top