Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 245W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
• Глубина 1990pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
• Тип симистора 137nC @ 20V
• Барьерный тип 2.7V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение SP3F