Инвентаризация:1517

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 4 N-Channel (Solar Inverter)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 272W (Tj)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 91A (Tc)
  • Глубина 6331pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 70A, 18V
  • Тип симистора 306nC @ 20V
  • Барьерный тип 4.4V @ 40mA
  • Максимальное переменное напряжение 29-PIM (56.7x42.5)

Сопутствующие товары


SIC 4N-CH 1200V 55A SP3F

Инвентаризация: 6

ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,

Инвентаризация: 32

Top