Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 690mOhm @ 6A, 20V
  • Материал феррулы 150W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение H2Pak-2
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 22 nC @ 20 V
  • 290 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SOT25

Инвентаризация: 5663

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

Top