- Модель продукта DMT10H009LPS-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5638
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 1.3W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 40.2 nC @ 10 V
- 2309 pF @ 50 V