Инвентаризация:3811

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.4A (Ta), 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.8mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение V-DFN3333-8 (Type B)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 20.2 nC @ 4.5 V
  • 2309 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Инвентаризация: 4138

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 37110

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 2000

Top