Инвентаризация:38610

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 42A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 13.5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta), 35W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 33.3 nC @ 10 V
  • 1871 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Инвентаризация: 566367

MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN

Инвентаризация: 2311

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16UQFN

Инвентаризация: 9288

DIODE ZENER 5.6V 1.5W SMA

Инвентаризация: 0

Top