Инвентаризация:3516

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 80A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 2085 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 40A TO252

Инвентаризация: 67765

MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN

Инвентаризация: 113269

MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN

Инвентаризация: 16449

E SURFACE MOUNT-RECTIFIER-B

Инвентаризация: 3003

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Инвентаризация: 2497

DIODE ZENER 24V 200MW SOD323F

Инвентаризация: 16989

ZENER DIODE, 24V, 5%, 0.2W, UNID

Инвентаризация: 40583

Top