Инвентаризация:3997

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 3.4W (Ta), 68W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 11.9 nC @ 10 V
  • 683 pF @ 50 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN

Инвентаризация: 6960

MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN

Инвентаризация: 113269

MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN

Инвентаризация: 16449

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Инвентаризация: 2016

Top