Инвентаризация:1522

Технические детали

  • Пакет/кейс 5-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 12mA
  • Пакет устройств поставщика 5-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.7 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1240 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

Инвентаризация: 144

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 105

GAN FET HEMT 60V 1A 4UB

Инвентаризация: 19

GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD

Инвентаризация: 100

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD

Инвентаризация: 100

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

Инвентаризация: 95

GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

Инвентаризация: 0

GAN FET HEMT 200V 80A 5UB

Инвентаризация: 0

Top