Инвентаризация:1519

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 580mOhm @ 1A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 140µA
  • Пакет устройств поставщика 4-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 22 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN DIE 100V .022OHM

Инвентаризация: 9465

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

Инвентаризация: 144

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 73

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

Инвентаризация: 82

GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD

Инвентаризация: 100

GAN FET HEMT 100V 90A 5UB

Инвентаризация: 22

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

Инвентаризация: 95

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

Инвентаризация: 166

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

Инвентаризация: 0

Top