- Модель продукта FBG04N08ASH
- Бренд EPC Space
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2mA
- Пакет устройств поставщика 4-SMD
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 312 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Инвентаризация: 19
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 166
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Инвентаризация: 48
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Инвентаризация: 49
