- Модель продукта FBG10N05ASH
- Бренд EPC Space
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1.2mA
- Пакет устройств поставщика 4-SMD
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.2 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 233 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 73
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 166
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 141
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Инвентаризация: 51
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Инвентаризация: 0
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Инвентаризация: 1985
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 1971
