Инвентаризация:1573

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика 4-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 797 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET 2N-CH 60V 23A DIE

Инвентаризация: 3615

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Инвентаризация: 5402

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

Инвентаризация: 19824

TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM

Инвентаризация: 2698

GANFET N-CH 80V 90A DIE

Инвентаризация: 60719

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

Инвентаризация: 144

GAN FET HEMT 60V 1A 4UB

Инвентаризация: 19

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

Инвентаризация: 166

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

Инвентаризация: 48

Top