Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 404mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 600µA
  • Пакет устройств поставщика 4-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.6 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 450 pF @ 150 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

Инвентаризация: 82

GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

Инвентаризация: 0

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 141

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

Инвентаризация: 49

GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

Инвентаризация: 50

GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

Инвентаризация: 450

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top