- Модель продукта EPC7018DC
- Бренд EPC Space
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700pF @ 50V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 70A, 5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика 4-SMD
Сопутствующие товары
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Инвентаризация: 144
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 105
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Инвентаризация: 19
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Инвентаризация: 22
GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT 200V 80A 5UB
Инвентаризация: 0
