- Модель продукта SISS92DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 173mOhm @ 3.6A, 10V
- Материал феррулы 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 250 V
- 16 nC @ 10 V
- 350 pF @ 125 V