- Модель продукта BSZ16DN25NS3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7598
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10.9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 165mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 32µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 250 V
- 11.4 nC @ 10 V
- 920 pF @ 100 V