- Модель продукта SISH615ADN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:73389
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SH
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22.1A (Ta), 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.4mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 3.7W (Ta), 52W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SH
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 183 nC @ 10 V
- 5590 pF @ 10 V