- Модель продукта SISS63DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:38785
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.8W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 236 nC @ 8 V
- 7080 pF @ 10 V