- Модель продукта FDS2670
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2399
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 43 nC @ 10 V
- 1228 pF @ 100 V