Инвентаризация:5455

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.85A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 1.56W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA (Min)
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 42 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

Инвентаризация: 53122

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 899

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC

Инвентаризация: 6484

MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 8788

Top