Инвентаризация:19251

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 47mOhm @ 4.9A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 38 nC @ 10 V
  • 2050 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3

Инвентаризация: 2980

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Инвентаризация: 2645

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 899

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

Инвентаризация: 4229

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Инвентаризация: 26614

MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO

Инвентаризация: 5005

Top