Инвентаризация:6507

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 11A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 60 nC @ 4.5 V
  • 4044 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP

Инвентаризация: 37261

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3

Инвентаризация: 19216

MOSFET P-CH 20V 15A 8SO

Инвентаризация: 4040

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

Инвентаризация: 20676

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

Инвентаризация: 5435

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Инвентаризация: 0

Top