Инвентаризация:6935

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 10A, 4.5V
  • Материал феррулы 1.6W (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 70 nC @ 4.5 V
  • 3640 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 193571

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Инвентаризация: 4212

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP

Инвентаризация: 37261

MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2

Инвентаризация: 16260

MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 5007

MOSFET P-CH 20V 15A 8SO

Инвентаризация: 4040

Top