- Модель продукта NTMS10P02R2G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6935
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 10A, 4.5V
- Материал феррулы 1.6W (Ta)
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 70 nC @ 4.5 V
- 3640 pF @ 16 V