Инвентаризация:3979

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 16A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 70 nC @ 10 V
  • 2830 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC

Инвентаризация: 47458

MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 8022

MOSFET P-CH 30V 21A/36A 8DFN

Инвентаризация: 48279

MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC

Инвентаризация: 8420

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 29668

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 1739

Top