Инвентаризация:3239

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 1.7W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 26 nC @ 4.5 V
  • 3168 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC

Инвентаризация: 2479

MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO

Инвентаризация: 19233

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

Инвентаризация: 47366

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Инвентаризация: 32199

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

Инвентаризация: 16867

Top