- Модель продукта SIDR668DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 23.2A (Ta), 95A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 3.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 108 nC @ 10 V
- 5400 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Инвентаризация: 9212
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Инвентаризация: 15638
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Инвентаризация: 1500
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Инвентаризация: 7381
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 6172
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 1629
