- Модель продукта SIR512DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7672
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25.1A (Ta), 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6W (Ta), 96.2W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 62 nC @ 10 V
- 3400 pF @ 50 V