- Модель продукта EPC2051
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 3A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1.5mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 2.1 nC @ 5 V
- 258 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 52011
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 102469
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Инвентаризация: 94617
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Инвентаризация: 24040
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
