Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.1W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 87A (Tc)
  • Глубина 4150pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 2.6mOhm @ 21A, 10V
  • Тип симистора 62nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power 3.3x5

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8

Инвентаризация: 7365

MOSFET 2N-CH 30V 12A/54A 12WQFN

Инвентаризация: 2718

Top