Инвентаризация:4218

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerWQFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W (Ta), 20W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta), 54A (Tc)
  • Глубина 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.2V @ 270µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-WQFN (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5

Инвентаризация: 0

Top